FDD6N50FTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD6N50FTM

FDD6N50FTM

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Numero parte	FDD6N50FTM
LIXINC Part #	FDD6N50FTM
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDD6N50FTM Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDD6N50FTM Specifiche

Numero parte:	FDD6N50FTM
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	UniFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	5.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.15Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	19.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	960 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	89W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D-Pak
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTT2N170D2	MOSFET N-CH 1700V 2A TO268	877 Maggiori informazioni su Ordine
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STP10N60M2	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220	1061 Maggiori informazioni su Ordine
IPD90N04S403ATMA1	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3	843 Maggiori informazioni su Ordine