STLD125N4F6AG

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Numero parte STLD125N4F6AG
LIXINC Part # STLD125N4F6AG
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STLD125N4F6AG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
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STLD125N4F6AG Specifiche

Numero parte:STLD125N4F6AG
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:STripFET™ F6
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:91 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5600 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):130W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerFlat™ (5x6) Dual Side
pacchetto/caso:8-PowerWDFN

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