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CSD18535KTTT

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Numero parte	CSD18535KTTT
LIXINC Part #	CSD18535KTTT
Produttore	Texas Instruments
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	CSD18535KTTT Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

CSD18535KTTT Specifiche

Numero parte:	CSD18535KTTT
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	200A (Ta), 279A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	6620 pF @ 30 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	300W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DDPAK/TO-263-3
pacchetto/caso:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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