FDMC6675BZ | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMC6675BZ

FDMC6675BZ

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Numero parte	FDMC6675BZ
LIXINC Part #	FDMC6675BZ
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDMC6675BZ Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDMC6675BZ Specifiche

Numero parte:	FDMC6675BZ
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9.5A (Ta), 20A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	14.4mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2865 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.3W (Ta), 36W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-MLP (3.3x3.3)
pacchetto/caso:	8-PowerWDFN

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