FCH077N65F-F085 | Rochester Electronics FCH077N65F-F085 | FCH077N65F-F085 Inventory, Best Pricing

FCH077N65F-F085

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Numero parte	FCH077N65F-F085
LIXINC Part #	FCH077N65F-F085
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FCH077N65F-F085 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FCH077N65F-F085 Specifiche

Numero parte:	FCH077N65F-F085
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	54A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	77mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	164 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	7.162 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	481W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-247-3
pacchetto/caso:	TO-247-3

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