FQPF7N60

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Numero parte FQPF7N60
LIXINC Part # FQPF7N60
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQPF7N60 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FQPF7N60 Specifiche

Numero parte:FQPF7N60
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:QFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:38 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.43 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):48W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220F
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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