FDB14AN06LA0-F085

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Numero parte FDB14AN06LA0-F085
LIXINC Part # FDB14AN06LA0-F085
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDB14AN06LA0-F085 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FDB14AN06LA0-F085 Specifiche

Numero parte:FDB14AN06LA0-F085
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:67A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:11.6mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2900 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263AB
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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