DMN2300UFB4-7B | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

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Numero parte	DMN2300UFB4-7B
LIXINC Part #	DMN2300UFB4-7B
Produttore	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	DMN2300UFB4-7B Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

DMN2300UFB4-7B Specifiche

Numero parte:	DMN2300UFB4-7B
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	1.3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	950mV @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	1.6 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	64.3 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	500mW (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	X2-DFN1006-3
pacchetto/caso:	3-XFDFN

AOUS66416	MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8	3925 Maggiori informazioni su Ordine
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