RJK03M8DNS-00#J5 | Rochester Electronics RJK03M8DNS-00#J5 | RJK03M8DNS-00#J5 Inventory, Best Pricing

RJK03M8DNS-00#J5

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Numero parte	RJK03M8DNS-00#J5
LIXINC Part #	RJK03M8DNS-00#J5
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A 8HWSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	RJK03M8DNS-00#J5 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

RJK03M8DNS-00#J5 Specifiche

Numero parte:	RJK03M8DNS-00#J5
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	30A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	5.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	14.5 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2.59 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	20W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-HWSON (3.3x3.3)
pacchetto/caso:	8-PowerWDFN

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