RD3G07BATTL1

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Numero parte RD3G07BATTL1
LIXINC Part # RD3G07BATTL1
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RD3G07BATTL1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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RD3G07BATTL1 Specifiche

Numero parte:RD3G07BATTL1
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:70A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:7.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:105 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5550 pF @ 20 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):101W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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