IMW120R060M1HXKSA1

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Numero parte IMW120R060M1HXKSA1
LIXINC Part # IMW120R060M1HXKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IMW120R060M1HXKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IMW120R060M1HXKSA1 Specifiche

Numero parte:IMW120R060M1HXKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolSiC™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):1.2 kV
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:36A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):15V, 18V
rds su (max) @ id, vgs:78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (massimo) @ id:5.7V @ 5.6mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 18 V
vgs (massimo):+23V, -7V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.06 nF @ 800 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO247-3-41
pacchetto/caso:TO-247-3

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