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Numero parte | IMW120R060M1HXKSA1 |
LIXINC Part # | IMW120R060M1HXKSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IMW120R060M1HXKSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IMW120R060M1HXKSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | CoolSiC™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 1.2 kV |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 36A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 15V, 18V |
rds su (max) @ id, vgs: | 78mOhm @ 13A, 18V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5.7V @ 5.6mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 18 V |
vgs (massimo): | +23V, -7V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1.06 nF @ 800 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO247-3-41 |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
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In magazzino | 11525 - Maggiori informazioni su Ordine |
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