NTB5605PT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTB5605PT4G

NTB5605PT4G

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Numero parte	NTB5605PT4G
LIXINC Part #	NTB5605PT4G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTB5605PT4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTB5605PT4G Specifiche

Numero parte:	NTB5605PT4G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	18.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	5V
rds su (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 8.5A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1190 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	88W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D2PAK
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRLR3114ZPBF	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK	896 Maggiori informazioni su Ordine
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APT1201R4SFLLG	MOSFET N-CH 1200V 9A D3PAK	861 Maggiori informazioni su Ordine
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