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Numero parte | MSC040SMA120J |
LIXINC Part # | MSC040SMA120J |
Produttore | Roving Networks / Microchip Technology |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 53A SOT227 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MSC040SMA120J Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MSC040SMA120J |
Marca: | Roving Networks / Microchip Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 1200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 53A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 20V |
rds su (max) @ id, vgs: | 50mOhm @ 40A, 20V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.8V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 137 nC @ 20 V |
vgs (massimo): | +25V, -10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1990 pF @ 1000 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 208W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Chassis Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-227 (ISOTOP®) |
pacchetto/caso: | SOT-227-4, miniBLOC |
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In magazzino | 10921 - Maggiori informazioni su Ordine |
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