FDB024N08BL7

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Numero parte FDB024N08BL7
LIXINC Part # FDB024N08BL7
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDB024N08BL7 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
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FDB024N08BL7 Specifiche

Numero parte:FDB024N08BL7
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:PowerTrench®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:178 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:13530 pF @ 40 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):246W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263-7
pacchetto/caso:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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