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Numero parte | FDB024N08BL7 |
LIXINC Part # | FDB024N08BL7 |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDB024N08BL7 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDB024N08BL7 |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | PowerTrench® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 80 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 178 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 13530 pF @ 40 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 246W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-263-7 |
pacchetto/caso: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
NVTJD4105CT1G | MOSFET 20V 0.63A SC-88 | 4080 Maggiori informazioni su Ordine |
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BUK9515-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 54A TO220AB | 963 Maggiori informazioni su Ordine |
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IXFA18N60X | MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA | 1676 Maggiori informazioni su Ordine |
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DMN2230UQ-7 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | 16724 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPW65R145CFD7AXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3 | 930 Maggiori informazioni su Ordine |
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SI4483ADY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO | 13258 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPB80N04S304ATMA1 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 858 Maggiori informazioni su Ordine |
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IXTA2N100 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 | 846 Maggiori informazioni su Ordine |
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MCU06N40-TP | MOSFET N-CH 400V 6A DPAK | 2646 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11280 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.54000 | $3.54 |
800 | $2.18989 | $1751.912 |
1600 | $2.05146 | $3282.336 |
2400 | $1.95455 | $4690.92 |
5600 | $1.88533 | $10557.848 |
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