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CSD19538Q3A

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Numero parte	CSD19538Q3A
LIXINC Part #	CSD19538Q3A
Produttore	Texas Instruments
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	CSD19538Q3A Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

CSD19538Q3A Specifiche

Numero parte:	CSD19538Q3A
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	15A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.8V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	4.3 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	454 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.8W (Ta), 23W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-VSONP (3x3.15)
pacchetto/caso:	8-PowerVDFN

STN3N40K3	MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223	5579 Maggiori informazioni su Ordine
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IRF7326D2TRPBF	MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO	3152 Maggiori informazioni su Ordine
SQD45P03-12_GE3	MOSFET P-CH 30V 50A TO252	2937 Maggiori informazioni su Ordine
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IXFA18N60X	MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA	1698 Maggiori informazioni su Ordine
TSM900N06CH X0G	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251	4702 Maggiori informazioni su Ordine