FQNL1N50BBU

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Numero parte FQNL1N50BBU
LIXINC Part # FQNL1N50BBU
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQNL1N50BBU Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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FQNL1N50BBU Specifiche

Numero parte:FQNL1N50BBU
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:QFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:270mA (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:9Ohm @ 135mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.7V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:5.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:150 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-92-3
pacchetto/caso:TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

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