NVMYS021N06CLTWG

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Numero parte NVMYS021N06CLTWG
LIXINC Part # NVMYS021N06CLTWG
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVMYS021N06CLTWG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NVMYS021N06CLTWG Specifiche

Numero parte:NVMYS021N06CLTWG
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.8A (Ta), 27A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 16µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:410 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 28W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-LFPAK
pacchetto/caso:SOT-1023, 4-LFPAK

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