IRFH4210DTRPBF

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Numero parte IRFH4210DTRPBF
LIXINC Part # IRFH4210DTRPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFH4210DTRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFH4210DTRPBF Specifiche

Numero parte:IRFH4210DTRPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:44A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.1V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:77 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4.812 pF @ 13 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.5W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PQFN (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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