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Numero parte | FDA032N08 |
LIXINC Part # | FDA032N08 |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDA032N08 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDA032N08 |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | PowerTrench® |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 75 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3.2mOhm @ 75A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 220 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 15160 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-3PN |
pacchetto/caso: | TO-3P-3, SC-65-3 |
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FDN342P | MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 | 16233 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11349 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.70000 | $4.7 |
10 | $4.19948 | $41.9948 |
450 | $3.10748 | $1398.366 |
900 | $2.51958 | $2267.622 |
1350 | $2.35160 | $3174.66 |
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