TSM220NB06LCR RLG

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Numero parte TSM220NB06LCR RLG
LIXINC Part # TSM220NB06LCR RLG
Produttore TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TSM220NB06LCR RLG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TSM220NB06LCR RLG Specifiche

Numero parte:TSM220NB06LCR RLG
Marca:TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Ta), 35A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:22mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1314 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 68W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-PDFN (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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