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Numero parte | TSM60N900CI C0G |
LIXINC Part # | TSM60N900CI C0G |
Produttore | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TSM60N900CI C0G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 12 - Sep 16 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | TSM60N900CI C0G |
Marca: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4.5A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 900mOhm @ 2.3A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 9.7 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 480 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | ITO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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In magazzino | 11748 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.65000 | $1.65 |
10 | $1.49236 | $14.9236 |
100 | $1.19956 | $119.956 |
500 | $0.93302 | $466.51 |
1000 | $0.77307 | $773.07 |
3000 | $0.74641 | $2239.23 |
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