STH3N150-2

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Numero parte STH3N150-2
LIXINC Part # STH3N150-2
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STH3N150-2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 12 - Sep 16 2024(Scegli spedizione rapida)
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STH3N150-2 Specifiche

Numero parte:STH3N150-2
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:PowerMESH™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):1500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:9Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:29.3 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:939 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):140W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:H²PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

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