BUK752R3-40E,127 | Rochester Electronics BUK752R3-40E,127 | BUK752R3-40E,127 Inventory, Best Pricing

BUK752R3-40E,127

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Numero parte	BUK752R3-40E,127
LIXINC Part #	BUK752R3-40E,127
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BUK752R3-40E,127 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BUK752R3-40E,127 Specifiche

Numero parte:	BUK752R3-40E,127
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	109.2 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	8.5 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	293W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

IPA60R360CFD7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 5A TO220	820 Maggiori informazioni su Ordine
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IPD075N03LGATMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	1274 Maggiori informazioni su Ordine
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MCH3477-TL-H	MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70	863816 Maggiori informazioni su Ordine
2SK536-TB-E	MOSFET N-CH 50V 100MA SC59	3074 Maggiori informazioni su Ordine
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