2SK536-TB-E

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Numero parte 2SK536-TB-E
LIXINC Part # 2SK536-TB-E
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SK536-TB-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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2SK536-TB-E Specifiche

Numero parte:2SK536-TB-E
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:*
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):50 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:20Ohm @ 10mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:15 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):200mW (Ta)
temperatura di esercizio:125°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SC-59
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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