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Numero parte | STU16N60M2 |
LIXINC Part # | STU16N60M2 |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A IPAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STU16N60M2 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 11 - Oct 15 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STU16N60M2 |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | MDmesh™ M2 |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 12A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 320mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±25V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 700 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | IPAK (TO-251) |
pacchetto/caso: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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In magazzino | 11000 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.71000 | $1.71 |
75 | $1.40018 | $105.0135 |
150 | $1.26924 | $190.386 |
525 | $1.00725 | $528.80625 |
1050 | $0.85009 | $892.5945 |
2550 | $0.79771 | $2034.1605 |
5025 | $0.77151 | $3876.83775 |
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