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Numero parte | SIHG17N80AEF-GE3 |
LIXINC Part # | SIHG17N80AEF-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | E SERIES POWER MOSFET WITH FAST |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SIHG17N80AEF-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 11 - Oct 15 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SIHG17N80AEF-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | EF |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 800 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 15A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 305mOhm @ 8.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 63 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1300 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 179W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-247AC |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
IRF830SPBF | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK | 1939 Maggiori informazioni su Ordine |
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SISS61DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK | 850 Maggiori informazioni su Ordine |
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NTMFS4935NCT1G | MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN | 920 Maggiori informazioni su Ordine |
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SI7157DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 16059 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10867 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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