NVMFS5C680NLWFT1G | Rochester Electronics NVMFS5C680NLWFT1G | NVMFS5C680NLWFT1G Inventory, Best Pricing

NVMFS5C680NLWFT1G

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Numero parte	NVMFS5C680NLWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5C680NLWFT1G
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NVMFS5C680NLWFT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NVMFS5C680NLWFT1G Specifiche

Numero parte:	NVMFS5C680NLWFT1G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	8.1A (Ta), 21A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	27.5mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.2V @ 13µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	330 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.4W (Ta), 24W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN, 5 Leads

MCH3477-TL-W	MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70	74846 Maggiori informazioni su Ordine
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IPW90R1K0C3	N-CHANNEL POWER MOSFET	881 Maggiori informazioni su Ordine
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