NTTFS6H850NLTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS6H850NLTAG

NTTFS6H850NLTAG

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Numero parte	NTTFS6H850NLTAG
LIXINC Part #	NTTFS6H850NLTAG
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTTFS6H850NLTAG Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTTFS6H850NLTAG Specifiche

Numero parte:	NTTFS6H850NLTAG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	14.8A (Ta), 64A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 70µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1450 pF @ 40 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.9W (Ta), 73W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-WDFN (3.3x3.3)
pacchetto/caso:	8-PowerWDFN

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