IMZ120R045M1XKSA1

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Numero parte IMZ120R045M1XKSA1
LIXINC Part # IMZ120R045M1XKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IMZ120R045M1XKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IMZ120R045M1XKSA1 Specifiche

Numero parte:IMZ120R045M1XKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolSiC™
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:52A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):15V
rds su (max) @ id, vgs:59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id:5.7V @ 10mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 15 V
vgs (massimo):+20V, -10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1900 pF @ 800 V
caratteristica del feto:Current Sensing
dissipazione di potenza (max):228W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO247-4-1
pacchetto/caso:TO-247-4

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