IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3
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Numero parte IXFN62N80Q3
LIXINC Part # IXFN62N80Q3
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXFN62N80Q3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IXFN62N80Q3 Specifiche

Numero parte:IXFN62N80Q3
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:HiPerFET™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:49A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:140mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:6.5V @ 8mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:270 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:13600 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):960W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-227B
pacchetto/caso:SOT-227-4, miniBLOC

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