PHT6N06LT,135 | Rochester Electronics PHT6N06LT,135 | PHT6N06LT,135 Inventory, Best Pricing

PHT6N06LT,135

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Numero parte	PHT6N06LT,135
LIXINC Part #	PHT6N06LT,135
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	PHT6N06LT,135 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione

PHT6N06LT,135 Specifiche

Numero parte:	PHT6N06LT,135
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	TrenchMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	5V
rds su (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	4.5 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±13V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	330 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-223
pacchetto/caso:	TO-261-4, TO-261AA

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