DMT12H007LPS-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMT12H007LPS-13

DMT12H007LPS-13

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Numero parte	DMT12H007LPS-13
LIXINC Part #	DMT12H007LPS-13
Produttore	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	DMT12H007LPS-13 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

DMT12H007LPS-13 Specifiche

Numero parte:	DMT12H007LPS-13
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	120 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	90A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	49 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3224 pF @ 60 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.9W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerDI5060-8
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

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