NTMFD6H846NLT1G

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Numero parte NTMFD6H846NLT1G
LIXINC Part # NTMFD6H846NLT1G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V,
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NTMFD6H846NLT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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NTMFD6H846NLT1G Specifiche

Numero parte:NTMFD6H846NLT1G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Standard
tensione drain-source (vdss):80V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.4A (Ta), 31A (Tc)
rds su (max) @ id, vgs:15mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 21µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:17nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:900pF @ 40V
potenza - max:3.2W (Ta), 34W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-PowerTDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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