IAUC60N04S6N031HATMA1

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Numero parte IAUC60N04S6N031HATMA1
LIXINC Part # IAUC60N04S6N031HATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione IAUC60N04S6N031HATMA1
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IAUC60N04S6N031HATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IAUC60N04S6N031HATMA1 Specifiche

Numero parte:IAUC60N04S6N031HATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:2 N-Channel (Half Bridge)
caratteristica del feto:Standard
tensione drain-source (vdss):40V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:60A (Tj)
rds su (max) @ id, vgs:3.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 25µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:30nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:25V
potenza - max:75W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-PowerVDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TDSON-8-56

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