SIA915DJ-T1-GE3

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Numero parte SIA915DJ-T1-GE3
LIXINC Part # SIA915DJ-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIA915DJ-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIA915DJ-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SIA915DJ-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 P-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.5A
rds su (max) @ id, vgs:87mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:9nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:275pF @ 15V
potenza - max:6.5W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:PowerPAK® SC-70-6 Dual
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Dual

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