BSO203PNTMA1

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Numero parte BSO203PNTMA1
LIXINC Part # BSO203PNTMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSO203PNTMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSO203PNTMA1 Specifiche

Numero parte:BSO203PNTMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 P-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.2A
rds su (max) @ id, vgs:21mOhm @ 8.2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:48.6nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2242pF @ 15V
potenza - max:2W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:P-DSO-8

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