SI4562DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI4562DY-T1-E3 | SI4562DY-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI4562DY-T1-E3

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Numero parte	SI4562DY-T1-E3
LIXINC Part #	SI4562DY-T1-E3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI4562DY-T1-E3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI4562DY-T1-E3 Specifiche

Numero parte:	SI4562DY-T1-E3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N and P-Channel
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	-
rds su (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7.1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.6V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	50nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	-
potenza - max:	2W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-SO

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