SI5511DC-T1-E3

SI5511DC-T1-E3
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Numero parte SI5511DC-T1-E3
LIXINC Part # SI5511DC-T1-E3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI5511DC-T1-E3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SI5511DC-T1-E3 Specifiche

Numero parte:SI5511DC-T1-E3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N and P-Channel
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A, 3.6A
rds su (max) @ id, vgs:55mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:7.1nC @ 5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:435pF @ 15V
potenza - max:3.1W, 2.6W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SMD, Flat Lead
pacchetto del dispositivo del fornitore:1206-8 ChipFET™

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