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Numero parte | SI5511DC-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI5511DC-T1-E3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SI5511DC-T1-E3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SI5511DC-T1-E3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N and P-Channel |
caratteristica del feto: | Logic Level Gate |
tensione drain-source (vdss): | 30V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4A, 3.6A |
rds su (max) @ id, vgs: | 55mOhm @ 4.8A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 7.1nC @ 5V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 435pF @ 15V |
potenza - max: | 3.1W, 2.6W |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 8-SMD, Flat Lead |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 1206-8 ChipFET™ |
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In magazzino | 10898 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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