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Numero parte | FDG6332C-F085P |
LIXINC Part # | FDG6332C-F085P |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | DUAL NP MOS SC70-6 20V |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDG6332C-F085P Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDG6332C-F085P |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | Automotive, AEC-Q101 |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N and P-Channel |
caratteristica del feto: | Standard |
tensione drain-source (vdss): | 20V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 700mA (Ta), 600mA (Ta) |
rds su (max) @ id, vgs: | 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 113pF @ 10V, 114pF @ 10V |
potenza - max: | 300mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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MP6K13TCR | MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6 | 980 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10999 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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