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Numero parte | FDMD8900 |
LIXINC Part # | FDMD8900 |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDMD8900 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDMD8900 |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) |
caratteristica del feto: | Standard |
tensione drain-source (vdss): | 30V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 19A, 17A |
rds su (max) @ id, vgs: | 4mOhm @ 19A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 35nC @ 10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2605pF @ 15V |
potenza - max: | 2.1W |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 12-PowerWDFN |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 12-Power3.3x5 |
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In magazzino | 19832 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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