SI3585CDV-T1-GE3

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Numero parte SI3585CDV-T1-GE3
LIXINC Part # SI3585CDV-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI3585CDV-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SI3585CDV-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SI3585CDV-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N and P-Channel
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.9A, 2.1A
rds su (max) @ id, vgs:58mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:4.8nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:150pF @ 10V
potenza - max:1.4W, 1.3W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-TSOP

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