RN2108MFV,L3F

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Numero parte RN2108MFV,L3F
LIXINC Part # RN2108MFV,L3F
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RN2108MFV,L3F Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RN2108MFV,L3F Specifiche

Numero parte:RN2108MFV,L3F
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo a transistor:PNP - Pre-Biased
corrente - collettore (ic) (max):100 mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50 V
resistenza - base (r1):22 kOhms
resistenza - base emettitore (r2):47 kOhms
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
corrente - taglio collettore (max):500nA
frequenza - transizione:-
potenza - max:150 mW
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SOT-723
pacchetto del dispositivo del fornitore:VESM

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