SIDC30D120H6X1SA4

SIDC30D120H6X1SA4
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Numero parte SIDC30D120H6X1SA4
LIXINC Part # SIDC30D120H6X1SA4
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIDC30D120H6X1SA4 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida)
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SIDC30D120H6X1SA4 Specifiche

Numero parte:SIDC30D120H6X1SA4
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):1200 V
corrente - media rettificata (io):50A (DC)
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.6 V @ 50 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:27 µA @ 1200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:Die
pacchetto del dispositivo del fornitore:Sawn on foil
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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