SIDC08D60C8X1SA2

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Numero parte SIDC08D60C8X1SA2
LIXINC Part # SIDC08D60C8X1SA2
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIDC08D60C8X1SA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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SIDC08D60C8X1SA2 Specifiche

Numero parte:SIDC08D60C8X1SA2
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):600 V
corrente - media rettificata (io):30A (DC)
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.95 V @ 30 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:27 µA @ 600 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:Die
pacchetto del dispositivo del fornitore:Die
temperatura di esercizio - giunzione:-40°C ~ 175°C

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