1SS307E,L3F

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Numero parte 1SS307E,L3F
LIXINC Part # 1SS307E,L3F
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1SS307E,L3F Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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1SS307E,L3F Specifiche

Numero parte:1SS307E,L3F
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):80 V
corrente - media rettificata (io):100mA
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.3 V @ 100 mA
velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:10 nA @ 80 V
capacità @ vr, f:6pF @ 0V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SC-79, SOD-523
pacchetto del dispositivo del fornitore:SC-79
temperatura di esercizio - giunzione:150°C (Max)

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