JAN1N4150-1

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Numero parte JAN1N4150-1
LIXINC Part # JAN1N4150-1
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD JAN1N4150-1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
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JAN1N4150-1 Specifiche

Numero parte:JAN1N4150-1
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:Military, MIL-PRF-19500/231
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):50 V
corrente - media rettificata (io):200mA
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1 V @ 200 mA
velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tempo di ripristino inverso (trr):4 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:100 nA @ 50 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:DO-204AH, DO-35, Axial
pacchetto del dispositivo del fornitore:DO-35
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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