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Numero parte | UGB8JT-E3/81 |
LIXINC Part # | UGB8JT-E3/81 |
Produttore | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | UGB8JT-E3/81 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | UGB8JT-E3/81 |
Marca: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Standard |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 600 V |
corrente - media rettificata (io): | 8A |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.75 V @ 8 A |
velocità: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | 50 ns |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 30 µA @ 600 V |
capacità @ vr, f: | - |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-263AB |
temperatura di esercizio - giunzione: | -55°C ~ 150°C |
ES3FB R5G | DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA | 1893 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 11637 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.63000 | $1.63 |
800 | $0.99225 | $793.8 |
1600 | $0.80592 | $1289.472 |
2400 | $0.75933 | $1822.392 |
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