UGB8JT-E3/81

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Numero parte UGB8JT-E3/81
LIXINC Part # UGB8JT-E3/81
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD UGB8JT-E3/81 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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UGB8JT-E3/81 Specifiche

Numero parte:UGB8JT-E3/81
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):600 V
corrente - media rettificata (io):8A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.75 V @ 8 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):50 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:30 µA @ 600 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263AB
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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